概述:

基于IGBT芯片的高壓電容取電智能電原，主電路工作狀態(tài)由IGBT控制，高低壓隔離采用光電隔離技術。具有取電功率大，輸出功率自主智能控制，體積小，效率高，抗諧振，抗過壓能力強，高低壓隔離性能好等優(yōu)點。可用于電網(wǎng)、高鐵、光伏、電動汽車領域。

指標:

額定一次工作電壓10kV。工頻耐受電壓45kV/1min。沖擊電壓1.2/50us/75kV

局部放電＜10pC(測試電壓14.4kV）。初次級隔離電壓45kV/1min。工作頻率50士3Hz

溫度范圍-40℃-70℃。輸出電壓DC27.5V。啟動電壓3.5kV。絕緣電阻≥1000MΩ

額定輸出功率150W自適應